高考加油信息科技DXPoint今年底用于SSD推魏家

信息科技： DXPoint今年底用于SSD 推动相变存储量产化进程 类别： 机构： 研究员：

[摘要]

三星、东芝、海力士、美光等巨头抢滩 DNAND市场时，Intel悄然将 DXPoint（相变存储）用于SSD中，预计2016年下半年开始在大陆大连工厂进行生产。2016年有望破解相变存储核心技术，加速推进相变存储器在存储界的地位。

报告摘要1. DXPoint2016年底开始用于SSD中：三星、东芝、海力士、美光等巨头抢滩 DNAND市场时，Intel悄然讲 DXPoint（相变存储）用于SSD中，预计2016年下半年开始在大陆大连工厂进行生产。

2. DXpoint比 DNAND有更优的性能： DXpoint的寿命是 DNAND的1000倍，比目前的 DNAND速度快上1000倍，储存密度是DRAM的10倍。

. DXPoint的核心技术-选通管有望破解：相变存储叠层的核心技术使选通管，Intel对其选通管材料做了最严密的保护，2016年产品推出市场，有望破解核心技术。

1.事件- DXpoint将首次用于SSD2016年，TCLSSD以其低价优势，进入市场，各家巨头纷纷推出 DSSD，抢滩市场，加速SSD价格下滑并进一步替代HDD。

三星的 DNAND已广泛用于SSD，并占有近40%的市场份额，东芝、海力士等加快 DNAND生产。

在各大巨头抢滩 DNAND时，Intel率先将相变存储用于SSD。据闪存市场称，2016年底，Intel开始将 DXpoint导入到SSD中，属于“Optane”品牌，预计将在2016下半年开始在大陆大连工厂进行生产。由于基于更高性能的 DXpoint，英特尔“Optane”品牌SSD主要基于较SATA更高传输带宽的PCIe/NVMeGen x2，而规格形态主要是M.2和GBA。

2.事件点评2.1相变存储器的优势明显从我们之前的一篇报告《莫尼塔TMT赵成团队-相变储存资料汇总》中的存储技术参数（典型值）对比表可以看出，相变存储具有非易失、高速读写、存储密度适中和嵌入式应用等优势，相变存储第一次将高速、随机访问和非易失在同一个存储介质上实现。

2.2相变存储器的发展方向明确相变存储的发展方向与NANDFlash类似，分为多层和多级。2015年Intel和Micron联合推出新型存储技术 DXPoint， DXPoint是一种相变存储多层技术，利用叠层技术，来增加储存器容量和性能。不久前IBM首次实现 -bit多级存储，即是一种多级技术，将原来的两种储存状态转变为8个储存状态，在每个节点上增加了存储容量。由于相变存储存储原理的原因，电阻在每次存储后，容易飘，不稳定，因此多级比多层更难实现，多层最先实现量产。

如下图给出的 DXPoint技术图，图中绿色部分是相变存储单元。黄色部分选通管，通过选通管实现相变存储的叠层，该选通管技术是Intel叠层的核心技术，在读取数据时，通过三维坐标选定选通管，即可读取所连接存储单元中的数据，实现点访问，加快读取速度。

2. DXpoint各方面性能优于 DNA履行校长职责ND DNAND与 DXpoint都是叠层技术，但两者有本质的不同。

1. DNAND优势：1）容量较大，可达Tb级别；2）技术较成熟，48层已经能实现量产，工艺已经能达到96层； ）价格合理。

劣势：1）各存储单元之间的选通管还是沿用的单晶硅，由于硅的局限性，不能直接实现叠层， DNAND的叠层是一种封装技术，每一层配备一个电路；2）由于 DNAND是条状分布，每次读取数据时，需要读取一整条的数据，才能获得所需数据。

2. DXpoint优势：1）速度是NAND的1000倍；2）寿命是NAND的1000倍； ）密度是DRAM的十倍；4）选通管脱离了硅的束缚，可实现直接叠层，多层共用一个电路；5）直接实现点访问。

劣势：1）目前最大容量是128G；2）价格较高； ）目前工艺可能是两层。

随着Intel与Micron叠层技术的成熟，未来可叠多层，增加存储密度。IBM多级技术的发展，能进一步提高存储密度。相变存储各方面性能可优于NAND。

2.4Intel此举有望推动相变存储器的量产进程Intel首先突破了选通管核心技术，实现了相变存储器的叠层，将相变存储器的储存空间从8Gb提升到128Gb，2016年底Intel欲将 DXPoint用于SSD，在大陆的大连工场进行生产。

此举有望推西方对此也有些习以为常动相变存储器的量产进程。

产品推出市场后，其核心技术-选通管的曝光，有利于引入更多进入者，并降低相变存储器的成本，更快实现产品的更新换代。